পণ্যের বিবরণ:
প্রদান:
|
| উপাদান: | W90Cu10, W85Cu15, W80Cu20, W75Cu25, W70Cu30 | ভূতল: | পলিশ করা খালি |
|---|---|---|---|
| Plating: | নিকেল বা স্বর্ণের কলাই | প্রদান: | প্লেট, ঘনক, শীট, গড়া অংশ |
| Hermeticity: | নিম্ন porosity | ||
| লক্ষণীয় করা: | molybdenum তামা তাপ স্প্রেডার,তামার molybdenum তাপ বেস |
||
Optoelectronics মধ্যে সিরামিক প্যাকেজ জন্য তাপ নিকাশন দুষ্প্রাপ্য ধাতু তামা চক্রের উন্নত পার্শ্ব
বর্ণনা:
টিউংগস্টেন তামা তাপ বেসিনে তাপ ক্ষতি প্রতিরোধে মাইক্রোইলেকট্রনিক উপাদান উৎপন্ন তাপ স্থানান্তরের জন্য ব্যবহৃত হয়।
টংস্টেন তামা তাপ বেসিনটি টংস্টেন এবং তামার সংমিশ্রণ, সুতরাং তামার তাপীয় সুবিধার এবং টংস্টেনের খুব কম সম্প্রসারণ বৈশিষ্ট্যগুলি বিভিন্ন প্রয়োজনীয়তা পূরণ করতে সমন্বয় করা যেতে পারে।
এই দুটি উপকরণের সমন্বয় ফলে চিপস এবং সাবস্ট্রটস হিসাবে ব্যবহৃত সিলিকন কার্বাইড, অ্যালুমিনিয়াম অক্সাইড এবং বেরেলিয়াম অক্সাইডের মতো তাপ বিস্তার বৈশিষ্ট্যগুলির ফলাফল।
সুবিধাদি:
1. উচ্চ তাপ পরিবাহিতা
2. চমৎকার hermeticity
3. চমৎকার সমতলতা, পৃষ্ঠ ফিনিস, এবং আকার নিয়ন্ত্রণ
4. সেমি-সমাপ্ত বা সমাপ্ত (Ni / Au ধাতুপট্টাবৃত) পণ্য উপলব্ধ
5. নিম্ন porosity
পণ্য বৈশিষ্ট্য:
| শ্রেণী | ডাব্লু কন্টেন্ট | ঘনত্ব জি / সেমি 3 | তাপ সংকোচকারী এক্সটেনশান × 10 -6 (20 ℃) | তাপীয় পরিবাহিতা ওয়াট / (এম কে) |
| 90WCu | 90 ± 2% | 17.0 | 6.5 | 180 (25 ℃) / 176 (100 ℃) |
| 85WCu | 85 ± 2% | 16.4 | 7.2 | 190 (25 ℃) / 183 (100 ℃) |
| 80WCu | 80 ± 2% | 15,65 | 8.3 | 200 (25 ℃) / 197 (100 ℃) |
| 75WCu | 75 ± 2% | 14.9 | 9.0 | 230 (25 ℃) / 220 (100 ℃) |
| 50WCu | 50 ± 2% | 12.2 | 12.5 | 340 (25 ℃) / 310 (100 ℃) |
অ্যাপ্লিকেশন:
তারা তাপীয় মাউন্ট প্লেট, চিপ ক্যারিয়ার, টংস্টেন তামার ফ্ল্যাঞ্জ, এবং আরএফ, লাইট ইমিটিং ডায়োড এবং ডিটেক্টর, ফ্রেস, সিলেটে ইমিটর, বার এবং optoelectronics amplifiers, রিসিভার, ট্রান্সমিটার, টিউনযোগ্য লেজারের জন্য জটিল ক্যারিয়ারগুলির জন্য ফ্রেমের জন্য ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়। ইত্যাদি
